 |
IR 亚太区高级销售副总裁曾海邦表示："这种参考设计可在 60W 、4Ω时提供0.004%的THD+N，显示出IR先进的硅技术可让用户利 用D类拓扑结构获得最佳的音频性能。"
与IR的200V数字音频驱动IC IRS20955和IRF6645 DirectFET数字 音频MOSFET配合使用的IRAUDAMP4参考设计，是一种2通道、120W 半桥 设计，在120W 、4Ω条件下可实现96%的效率。该设计也结合了多种关 键保护功能，包括过流保护、过压保护、欠压保护、直流保护、过热 保护等。新设计还提供管理功能，例如用于前置放大器仿真信号处理 的+/- 5V电源，用于D类栅极驱动级的 -B作参考的+12V电源 (VCC)。 这个2通道设计可扩展功率及通道数目，在正常运行情况下无需使用散 热器。
新参考设计基于的IRS20955(S)(TR)PbF音频驱动IC设计，具有特 别为D类音频放大器应用设计的浮动PWM输入。其双向电流检测可在无 需外置分流电阻的情况下，在正及负的负载电流条件下监测过流状 况。内置的保护控制模块可提供针对过流条件的安全保护程序和可编 程复位定时器。内置死区时间生成模块则有助于精确的栅极开关，最 佳死区时间设置可提供更佳的音频性能，例如较低的总谐波失真 (THD) ，以及较低的音频背景噪声。
配合新参考设计使用的IRF6645功率MOSFET，为IR DirectFET系列 的成员。创新的DirectFET封装技术通过减少引线电感提升了开关性 能，并降低了EMI噪声，从而增强了D类音频放大器电路的性能。其较 高的热效率有助于实现在4Ω阻抗下的120W 运行，加上无需使用散热 器，所以不仅能缩小电路尺寸，更可在线路布局方面提供更大的灵活 性，同时降低整个放大器系统成本。
