经过了解，近半年来，彩显图像出现这样的失真：水平方向畸变，用方格图形测试(或用等距离的表格进行观察比较)，发现彩显中央部位的方格拉长，左右两侧方格压缩。过几个月的观察，发现这种失真随着时间的推移越来越严重。同时，当彩显分辨率由640×480(显示模式为VGA)提升到800×600(显示模式为S-VGA)时，这种失真变得更加明显。
从故障现象分析，这是彩显的S形自动校正电路出了故障引起的失真。S形校正的目的是为了补偿电子束偏转中心曲率与显像管中心曲率不重合而产生的延伸性畸变。通常采用的补偿措施是在行偏转线圈电路中串接s形校正电容Cs，让偏转电流预先校正成s形状，使荧屏边缘的扫描速度减慢来校正
这种延伸失真。校正电容Cs的取值大小与行频有关。在不同的行频下，为了保持较好的补偿效果，低频时，S形校正电容cs取值较大；而高频时，cs取值则较小。长城GW-500型彩显中的校正电容共有五个，其中C424为共用的固定电容，而C420、C421、C422和C423为受控电容。受控电容是根据行频的变化而自动切换调整的。为了简化电路，在图6所示的电路中只画出固定电容c424和其中二只受控电容C420和c421在路的状况。下面来分析在不同分辨率时，各校正电容接入电路的情况。
当彩显的分辨率为800×600(其行频fH=35.5kHz)，集成电路IC202-(2)脚输出的电压为+6.6V，使稳压管D409反向击穿(D409的击穿电压Uz=+6.2V)，被控三极管Q407饱和导通，Q406则截止。这样，电容器c420就被断路舍弃。而集成电路IC203-(14)脚
输出高电平，被控三极管Q409饱和导通，Q408则截止，电容器C421也被断路舍弃。同理，电容器C422和C423都被舍弃。这样，四只受控电容器全部被舍弃。S形校正电容总容量Cs为最小，即Cs=C424=0.68μF。
当分辨率降为640×480(fH=31.5 kHz)时，由集成电路IC202-②脚输出的电压为+5.9V，不足以使稳压管D409反向击穿，因此，被控三极管Q407截止。而由电阻R432、R433分压后取得的分压点电压则使被控三极管Q106饱和导通，受控电容C420被接入行偏转电路成为s形校正电容。而集成电路IC203-(14)脚仍然输出高电平，所以，受控电容C42l仍被舍弃。同理，受控电容c422和c423也被舍弃。这样s形校正电路总电容量为Cs=C424+C420=O.68 μ F+O.33 μ F=1.01 μ F．在其他分辨率时，各电容器自动调整的情况可依此类推。
根据彩显出现的故障是图像失真，水平方向变形，中央方格拉长，两侧方格压缩这一特点，初步判断是S形校正电容的总容量Cs偏小引起的。由于在各档次的分辨率(或显示模式)中均有这种失真故障出现，因此，估计在各档次分辨率都被接入电路的共用固定电容C424的容量减少的可能性较大。
将电容器C424取下进行测量，其电容量已由0.68μF下降到O.45μF左右，而且还不大稳定。逐一检测电容器C420(O.33μF)、C421(O.68μF)，C422(0.68μF)和C423(O.68μF)，它们的容量在误差范围内，属基本正常。可见图像失真的原因是由于S形
校正电路中的固定电容C424变质容量减少引起的。
根据所测得的电容器的数据进行推算，可得到下列几种结果：第一，当彩显分辨率为640×480时。校正电容Cs=C424+C420，其容量由1.01μF下降到O.78μF，为正常值的77％左右；第二，当分辨率提高到800×600时，校正电容Cs=c424，其容量由0.68μF减少到0.45μF，为正常值的66％左右，电容量减少的比例最大。所以，当分辨率为800×600时，彩显图像失真也最明显。
在检修过程中，为了保证更换的电容器的容量准确，使图像失真最小，所以，从多只标称容量为O.68μF的电容器中经过挑选后分别接入电路进行试验，其中一只电容量为O．69 μ F的电容器为最佳，将其接入电路后，图像的行线性失真大为改善。
根据维修实践，行线性失真与s形校正电容cs的容量存在一定的因果对应关系。若彩显在某一分辨率下工作时某一只校正电容器容量下降或失效，导致s形校正电容的总容量偏小的话，屏幕上将会出现中央方格拉长、两侧方格压缩的故障现象。如果因为S形自动校正电路出现故障，使本该舍弃的电容器被接入到行偏转电路中去，造成s形校正电容cs的总容量偏大的话，则屏幕上将会出现中央方格被压缩两侧方格被拉长的故障现象。了解到这些因果对应关系，对于故障的分析判断是很有帮助的。
