偏移电压漂移温度系数仅为±0.4uV/℃
美国国家半导体公司 (National SemIConductor Corporation) 宣布推出一系列微功率高精度放大器，其偏移电压漂移温度系数 (TCVos)最高值保证不超过±0.4uV/℃。这几款运算放大器单位通道功 耗只有16uW之外，偏移电压漂移温度系数也低于友商的同类产品。此 外，这几款芯片具有极低的偏移电压、静态电流和偏置电流，有助于 提高系统的准确度，延长电池寿命，以及确保系统操作的长期稳定 性，尤其适用于便携式系统以及以电池供电式传感器接口产品。
单通道的LMP2231、双通道的LMP2232以及四通道的LMP2234微功率 运算放大器都有以下的优点：支持CMOS输入，可在1.6V至5.5V的电压 范围内操作，单位通道的供电电流只有10uA，偏移电压仅为150uV，而 且适用于摄氏-40℃至125℃这样广阔的温度范围。这三款运算放大器 的功耗极低，单位通道功耗甚至不超过16uW，可供使用的带宽达 130kHz，是美国国家半导体高能源效率PowerWise系列产品的佼佼者。
理想的测量仪表对信号准确性的要求极高，换言之，传感器的信 号在放大的过程中绝对不能出现任何错误。美国国家半导体特别针对 此类应用提供一个理想的模拟信号路径解决方案即将LMP223x放大器芯 片与12位ADC121S021单通道模拟/数字转换器搭配使用。
这几款全新的LMP®高精度运算放大器都采用美国国家半导体 专有的VIP50 BiCMOS 工艺技术制造。由于美国国家半导体拥有先进的 VIP50工艺技术，因此可以设计出性能更好、能效更高的低功率高精度 运算放大器。
LMP2231/32/34高精度运算放大器的特色
LMP2231单通道微功率高精度放大器可在1.6V至5.5V的供电电压范 围内操作，静态功耗只有16uW。这款芯片的最高偏移电压不超过 150uV，最高的偏移电压漂移温度系数也只有0.4uV/℃，偏置电流只有 ＋20fA。由于供电电压的轨到轨输出摆幅高达 15mV，因此可以扩大系 统的动态范围。此外，LMP2231芯片的共模输入电压范围低至-200mV， 因此也适用于设有接地感测功能的单供电系统。这款芯片有5引脚的 SOT23以及8引脚的SOIC两种封装可供选择。
LMP2232双通道微功率高精度放大器保证可在1.6V至5.5V的供电电 压范围内操作，单位通道的静态功耗只有13uW。这款芯片的最高偏移 电压不超过150uV，最高的偏移电压漂移温度系数也只有0.5uV/℃，而 偏置电流则低至只有±20fA。LMP2232芯片有8引脚的SOIC 以及8引脚 的MSOP两种封装可供选择。
LMP2234四通道微功率高精度放大器保证可在1.6V至5.5V的供电电 压范围内操作，每通道的静态功耗只有12uW。这款芯片的最高偏移电 压不超过150uV，最高的偏移电压漂移温度系数也只有0.75uV/℃，而 偏置电流则低至只有±20fA。LMP2234芯片有14引脚的 SOIC以及14引 脚的TSSOP两种封装可供选择。
