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飞兆半导体举办第六届全球功率技术研讨会 提供实现高能效的设计解决方案

[日期:2008-08-27] 来源:  作者: [字体: ]

飞兆半导体公司(Fairchild SemIConductor)将于9月起举办第六届全球技术研讨会,每个研讨会均为期一天,内容非常丰富,将为功率设计工程师提供开发高能效应用的设计技术、产品技术和行业发展趋势信息。

2008至2009年度功率技术研讨会的技术主题包括:
–通过修正的正弦脉宽调制(PWM)减小BLDC纹波扭矩
–PQFN封装的板级评测
–不对称半桥转换器的设计考虑事项.


–高能效低待机功耗的辅助电源设计
–从电源变压器.
–在低输出电压的直流-直流转换器中,如何选择MOSFET以减少损耗
–错相式临界电流模式PFC转换器介绍

飞兆半导体的功率技术研讨会初步将于9月开始在北美、南美和亚洲超过20个城市举办,地点、日程表和每场技术讲座的介绍,以及登记信息可从网址www.fairchildsemi.com/powerseminar/获取。此外,飞兆半导体还计划于2009年2月开始将功率技术研讨会推展至欧洲。

飞兆半导体市务副总裁Andrea Mirenda称:“飞兆半导体深入的功率技术研讨会由功率电子领域上的能效专家主讲。他们将会探讨采用专用模拟、分立和光电子解决方案来优化系统功率的方法,设计工程师可望从中学习到能够提升系统性能、符合能效法规,并节省总体系统成本的技术。我们很高兴举办这一年一度的功率技术研讨会,它是公司全球功率资源(Global Power ResourceSM)的一环,该资源网络包罗了全球各地的功率设计中心、在线设计工具以及系统设计的专家,而专家们更与客户密切合作,以优化和创新电子应用的设计。”
查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-5298-6262;北京办事处,电话:010-6408 8088或访问公司网站:www.fairchildsemi.com

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