 光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件，与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好，可靠性好、体积小、使用方便等优。 一、光敏二极管 1．结构特点与符号 光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件，但在结构上有其特殊的地方。 光 (02/08/2006 13:06:00) [查看全文] 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下， 导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管 具有上述特性，电路中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、 编码控制、调频调制和静噪等电路中。 晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如 1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极） (01/22/2006 13:04:00) [查看全文] 瞬态抑制二极管(TVS)又叫箝位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压箝制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等，是一种理想的保护器件。耐受能力用瓦特(W)表示。
按其接线方式来分，有： 引线型瞬态抑制二极管 贴片式瞬态抑制二极管 大功率瞬态抑制二极管 低电容瞬态抑制 (12/30/2005 02:07:00) [查看全文] 1．结构原理 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。 (05/15/2005 22:28:00) [查看全文] |
内容分类
|
关于我们加入收藏夹 邮购帮助联系我们 copyright © 1998-2007 广电电器(中国梧州) -all right reserved BEST VIEW IE4.0 OR HIGH WITH 1024*768 地址：广西梧州市大中路8号中环大厦首层 电话：(86)774-2826670 若您有什么意见或建议请mail: wzgd@tom.com （桂ICP备05004023号） |