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元器件介绍

阻尼二极管 IF
(04月15日) [查看全文]
高压二极管 IF
(04月15日) [查看全文]
◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。
  ◆特征 低的反向漏电流。 较强的浪涌承受能力。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
(04月15日) [查看全文]
◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率500W。
  ◆特征 低的反向漏电流。 高稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
(04月14日) [查看全文]
◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率500W。
  ◆特征 低的反向漏电流。 高稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
(04月14日) [查看全文]
◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。
  ◆特征 低的反向漏电流。 高稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
(04月14日) [查看全文]
◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率500mW。
  ◆特征 低的反向漏电流。 高稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
(04月14日) [查看全文]
◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率500mW。
  ◆特征 低的反向漏电流。 高稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
(04月14日) [查看全文]
◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率500W。
  ◆特征 低的反向漏电流。 高稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
(04月14日) [查看全文]

◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率1000mW。
  ◆特征 低的反向漏电流。 高稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
(04月14日) [查看全文]
  意法半导体 近日推出一款型号为STV300NH02L的新的功率 MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平,在要 求严格的电源系统中,新产品有助于降低损耗,提高能效。这个高电 流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的,为了提高系统的可靠 性,服务器广泛使用并联电源冗余结构。
  ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻Rds(on) 极低,只有800微欧 (0.8毫欧),为高电流的MOSFET器件创造了一个新 的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的 理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。
  关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源 输出功率。过去这个功能通常使用二极管
(04月11日) [查看全文]

◆概述    DO-35玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率500W
  ◆特征 低的反向漏电流。 较高的稳压精度。 高稳定性。 高温焊接保证。 引线可承受5磅以上拉力。
(04月11日) [查看全文]
◆概述
    DO-41玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率1000mA。
◆概述
    DO-41玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。
◆特征
低的反向漏电流。
较高的稳压精度。
高稳定性。
高温焊接保证。
引线可承受5磅以上拉力。
  ◆应用
    主要应用于对电压稳定度要求较高的场合,也可用作电压钳位。
  ◆技术规范
(04月10日) [查看全文]
◆概述
DO-41玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。耗散功率1000mW。
◆特征
低的反向漏电流。
较高的稳压精度。
高稳定性。
高温焊接保证。
引线可承受5磅以上拉力。
◆应用
主要应用于对电压稳定度要求较高的场合,也可用作电压钳位。
◆技术规范
1000mW
(04月10日) [查看全文]
型  号 图像频率(M
(04月10日) [查看全文]
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