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半导体二极管参数库

硅 1000V 6A 500nS
(08月22日) [查看全文]
硅 800V 6A 500nS
(08月22日) [查看全文]
硅 600V 6A 250nS
(08月22日) [查看全文]
硅 400V 6A 150nS
(08月22日) [查看全文]
硅 200V 6A 150nS
(08月22日) [查看全文]
硅 100V 6A 150nS
(08月22日) [查看全文]
硅 50V 6A 150nS
(08月22日) [查看全文]
硅 1300V 4A <500nS
(08月22日) [查看全文]
硅 1400V 3A <500nS
(08月22日) [查看全文]
硅 1500V 1.5A 400nS
(08月22日) [查看全文]
硅 1500V 2A
(08月22日) [查看全文]
硅 1500V 3A
(08月22日) [查看全文]
硅 1500V 2.5A <400nS
(08月22日) [查看全文]
硅 1500V 5A <500nS
(08月22日) [查看全文]
硅 200V 16A 共阴
(08月18日) [查看全文]
硅 300V 16A 共阴
(08月18日) [查看全文]
硅 400V 16A 共阴
(08月18日) [查看全文]
硅 600V 16A 共阴
(08月18日) [查看全文]
200V 1.6A trr=30nS
(08月16日) [查看全文]
100V 1.6A trr=30nS
(08月16日) [查看全文]
1200V 3A Trr=35ns
(08月14日) [查看全文]
600V 8A Trr〈30ns
(08月14日) [查看全文]
硅 40V  1.0A  Vf=0.90V  Lfsm=25A
(08月08日) [查看全文]
1300V 1.2A(开关状态是1.5A)
(07月11日) [查看全文]
稳定电压:27V 电流:100mA 200mW
(07月05日) [查看全文]
稳定电压:27V 电流:100mA
(07月05日) [查看全文]
稳定电压35.1V≤36V≤36.9V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压34.1V≤35V≤35.9V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压36.1V≤37V≤37.9V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压34V≤36V≤38V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压32.2V≤33V≤33.8V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压31V≤33V≤35V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压29.3V≤30V≤30.8V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压31.2V≤32V≤32.8V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
稳定电压28.3V≤29V≤29.7V,工作电流100mA,耗散功率1.5W。
(07月05日) [查看全文]
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