晶体三极管有一项极限参数BVceo，它是指在基极开路时集电极一发射极间的击穿电压.通常情况下应使加在晶体三极管集电极与发射极之间的工作电压Uce不超过
BVceo，由于基极开路无基极电流，晶体三极管截止，只存在极微小的穿透电流Iceo，如图1所示。如果不断加大集电极与发射极之间的工作电压Uce，当达到BVceo时晶体三极管即发生击穿现象，其集电极电流Ic便急剧上升，如图1曲线中A—B段所示。当达到B点后，管压降Uce却随着电流Ic的增加而降低，如图l曲线中B-C段所示，这段区域称为负阻区，这时晶体三极管具有负阻特性。

    当喇叭的阻抗值不断下降时，后级输出一个固定电压，它的电流就会愈来愈大，你确定你的后级能输出这么大的电流吗？你知道喇叭阻抗不断下降的结果到后来就相当于是把喇叭线直接短路，所有的晶体管后级放大器，其输出电流的能力均有其设计上的限制，超出此范围，机器就要烧掉了。这也就是为什么一般人常说的：后级的功率不用大，但输出电流要大的道理。当然这种讲法也不太规范。因为现今的高保真晶体管功率放大器基本属定压型放大器，以输出功率=负载的电流平方×负载阻抗来计算，大功率时电流大，小功率时电流小亦属于正常。真正有机会在既定的负载上有“大电流输出”的，还是大功率放大器。
    早期日本放大器给人的印

    电压跟随器，顾名思义，就是输出电压与输入电压是相同的，就是说，电压跟随器的电压放大倍数恒小于且接近1。没有电压放大倍数？？那他有什么特点和作用？
    电压跟随器的显著特点就是，输入阻抗高，而输出阻抗低，一般来说，输入阻抗要达到几兆欧姆是很容易做到的。输出阻抗低，通常可以到几欧姆，甚至更低。
在电路中，电压跟随器一般做缓冲级及隔离级。因为，电压放大器的输出阻抗一般比较高，通常在几千欧到几十千欧，如果后级的输入阻抗比较小，那么信号就会有相当的部分损耗在前级的输出电阻中。在这个时候，就需要电压跟随器来从中进行缓冲。起到承上启下的作用。应用电压跟随器的另外一个好

    ASIC（Application Specific Intergrated Circuits）即专用集成电路，是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。目前用CPLD（复杂可编程逻辑器件）和FPGA（现场可编程逻辑阵列）来进行ASIC设计是最为流行的方式之一，它们的共性是都具有用户现场可编程特性，都支持边界扫描技术，但两者在集成度、速度以及编程方式上具有各自的特点。ASIC的特点是面向特定用户的需求，品种多、批量少，要求设计和生产周期短，它作为集成电路技术与特定用户的整机或系统技术紧密结合的产物，与通用集成电路相比具有体积更小、重量更轻、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。

    甲类（Class-A）放大器的输出晶体管（或电子管）的工作点在其线性部分中点，不论信号电平如何变化，它从电源取出的电流总是恒室不变，它是低效率的，用作声频放大时由于信号幅度不断变化，其实际效率不可能超过25%，可由单管或推挽工作。甲类放大器的优点是无交越失真和开关失真，而且谐波分量中主要是偶次谐波，在听感上低音厚实、中音柔顺温暖、高音清晰利落、层次感好，十分讨人喜欢。但一直因为耗电多，效率低，容易发热和对散热要求高而未能在大功率的放大器中得到广泛使用。由于器件长期工作于大电流高温下，容易引起可靠和寿命方面的问题，而且整机成本高，所以制造甲类功率放大器出名的厂家，现在已大多停止生产晶体管甲类功率放大器。

    共模抑制比(CMRR)：共模抑制是用来衡量共模信号被放大器抑制程度的一个综合指标，详细的定义不赘述了，这个参数一般用负值表示，比如－60dB，这个指标也是严重影响放大器的音质的指标，此指标数字越低，功放的音质就越好。

    互调失真(IMD)：互调失真是由于功放内部的晶体管工作特性引起的，使正弦波的波形发生畸变而产生的。互调失真的存在，直接影响到声音的音质，电子管放大器没有互调失真，所以一般来说晶体管放大器听起来感觉没有电子管功放那么柔和，舒服。一般互调失真的数值如果大于0.1%，这个功放的声音就感觉生硬，发涩，不抒展。

    总谐波失真(THD)：表明功放工作时，由于电路不可避免的振荡或其他谐振产生的二次，三次谐波与实际输入信号叠加，在输出端输出的信号就不单纯是与输入信号完全相同的成分，而是包括了谐波成分的信号，这些多余出来的谐波成分与实际输入信号的对比，用百分比来表示就称为总谐波失真。一般来说，总谐波失真在1000赫兹附近最小，所以大部分功放表明总谐波失真是用1000赫兹信号做测试，但有些更严格的厂家也提供20－20000赫兹范围内的总谐波失真数据。总谐波失真在1％以下，一般耳朵分辨不出来，超过10％就可以明显听出失真的成分。这个总谐波失真的数值越小，音色就更加纯净。一般产品的总谐波失真都小于1％@1kHz，但这个数值越小，表明产品的品质越高。

    频响范围(frequency range)：表明功放可以进行放大的工作频段，一般为20－20000赫兹，一般在此数据后面有一个后缀，比如－1/+1dB,这代表这个频率范围的误差或浮动范围，这个数值约小，表明频率范围内的频响曲线更平直。如果功放的频响范围以－3分贝为测试条件，这个功放出来的声音可能就没有那么平直了。

    并联输入模式(parallel mode)：此方式将功放的两路输入信号通道进行并联，只输入一路信号来同时驱动两个放大电路，两个输出端输出信号相同。

    立体声(两路)模式(stereo mode or dual mode)：一般的功放内部具有两个独立的放大电路，可以分别接受两路不同的信号分别进行放大并输出，这种工作状态称为立体声(两路)模式。

    负载阻抗（load impedance）：表明功放的负载能力，负载的阻抗越小，表明功放能通过的电流能力就越强，一般来说，大部分的功放最低负载阻抗为4欧姆，品质好的功放最低负载一般为2欧姆。双通道时能够负载4欧姆的功放，在桥接状态下可以负载最低为8欧姆，双通道时能够负载2欧姆的功放，桥接状态下可以负载4欧姆。桥接状态下只能负载8欧姆的功放，不可以负载更低的阻抗，否则会造成功放因为电流过大而烧毁。

  细心的读者一定会发现，几乎所有分立元器件的ＦＭ收音机，其高频头的第一级电路都是用图１所示的共基极调谐放大器。图中Ｒ１、Ｒ２是直流偏置电阻。Ｃ２、Ｃ３容量较大，在工作频段内相当于短路。Ｃ１、Ｃ４是回路的调谐电容。Ｌ１、Ｌ２是回路电感，Ｌ１、Ｃ１构成低Ｑ值的固定调谐回路，覆盖８８～１０８ＭＨｚ全频段。Ｌ２、Ｃ４构成选频回路，调谐于接收信号频率。由于ＬＣ回路调谐时呈纯阻性，设为Ｒ０，Ｒ０＝Ｑ√(1/C)，Ｑ是回路的品质因数。简化图１后可得等效的交流回路，如图２所示。
    图１

    大家知道：半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。
1．  在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特性制成的。
2．  当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏”，热敏电阻就是利用半导体的这种特性制成的。
3．  当有

    在电子制作中，经常会遇到要求特性一致的大功率异型对管的时候（如：互补对称式ＯＴＬ功放电路、ＯＣＬ功放电路等），这一类大功率异型对管在市场上往往很难买到，而且价格也非常昂贵。这时，可以采用一对大功率同型管与一对小功率异型对管复合，代替你所需要的大功率异型对管。有时为了增大三极管的电流放大倍数也要用到两管复合。下面简要介绍一下复合管的复合方法，希望对初学者朋友有所帮助。
    １． 两管复合时，前一管的集电极与发射极应该接在后一管的基极与集电极之间，且保证复合管形式。
    ２． 复合管的导电类型（ＮＰＮ或ＰＮＰ）决定于前一管（如附图）。

    目前广泛应用的电压型集成运算放大器是一种高放大倍数的直接耦合放大器。在该集成电路的输入与输出之间接入不同的反馈网络,可实现不同用途的电路,例如利用集成运算放大器可非常方便的完成信号放大、信号运算（加、减、乘、除、对数、反对数、平方、开方等）、信号的处理（滤波、调制）以及波形的产生和变换。集成运算放大器的种类非常多,可适用于不同的场合。
  按照集成运算放大器的参数来分,集成运算放大器可分为如下几类。
1．通用型运算放大器
    通用型运算放大器就是以通用为目的而设计的。这类器件的主要特点是价格低廉、产品量大面广,其性能指标能适合于一般性使用。例mA741

    因为在不同的应用中有这样多的重要参数,还因为不可能使这些参数 同时都达到最佳。所以运算放大器可以根据速度、噪声 ( 电压噪声、电流噪声或两者 ) 、输入失调电 压和漂移、偏置电流和漂移及共模电压范围进行选择。与电源有关的其它选择因素还包括： 输出功率、功耗、工作电压、环境温度范围和封装形式。不同的电路结构和制造工艺可对不同的性能参数进行优化。

    大多数类型 ( 电压输入 ) 运算放大器都有三级结构,第一级是带有差分输 入和差分输出的输入级,具有高共模抑制;第二级是带有差分输入和单端输出的增益级,电 压增益很高,一般具有单极点频率响应;第三级是输出级,通常具有单位电压增益,结构框图如图 1 所示。

工作频率范围（F）：
指放大器满足各级指标的工作频率范围。放大器实际的工作频率范围可能会大于定义的工作频率范围。
功率增益（G）：
指放大器输出功率和输入功率的比值，单位常用“dB”。
增益平坦度(

一、宽频放大器的主要性能指标
（1）通频带△f由定义知△f=fH-fL，通常下限频率fL≈O，△f≈fHo，因此放大器通频带的扩展是设法增大上限频率fH数值。
（2）中频电压放大倍数KO：它的定义中频段的输出电压UO与输入电压Ui之比。
（3）增益与带宽

  B类(乙类)放大器是最为流行的一种工作类别，特别是晶体三级管放大器，它不仅获得了成功，而且也很灵活。因此，设计师们总是试图把B类(乙类)效率高的优点与A类(甲类)线性好的特点结合起来，采用许多办法作进一步地改进，于是出现了一些改进型的B类(乙类)放大 器，或称为B类(乙类)的变种。这里

    反馈电路在各种电子电路中都获得普遍的应用,反馈是将放大器输出信号(电压或电流)的一部分或全部,回授到放大器输入端与输入信号进行比较(相加或相减),并用比较所得的有效输入信号去控制输出,这就是放大器的反馈过程.凡是回授到放大器输入端的反馈信号起加强输入原输入信号的,使输入信号增加的称正反馈.反之则反.按其电路结构又分为:电流反馈电路和电压反馈电路.正反馈电路多应用在电子振荡电路上,而负反馈电路则多应用在各种高低频放大电路上.因应用较广,所

    在很多的电子电路中,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻抗较低)时,要用到缓冲电路,从而达到增强电路的带负载能力和前后级阻抗匹配,晶体管射随器就是一种达到上述功能的缓冲电路。
  晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三极管三大电路形式之一(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路基本形式如图A1所示.
  根据图A1的等

　　电路的工作状态有两种：一种是稳定状态、一种是暂时状态或叫暂态。在具有电容、电感的电路中，当电路的工作条件发生变化时，由于储能元件储能的变化，电路将从原来的稳定状态经历一定时间变换到新的稳定状态，这一变换过程称为过渡过程，电路的过渡过程通常是很短的，所以又称暂态过程。
根据电路的激励（电路中发生电流、电压的起因）通过对电路的暂态分析来得到电路的响应（受激励的作用在电路中所引起的电流与电压称为响应），由于激励和响应都是时间的函数，所以这种分析有叫时域分析。

    今天的表面贴放机器必须不仅能精确地贴放许多元件，而且要处理逐渐地更小的包装。设备还必须维持它的灵活性来适应那些可望成为电子包装主流的新元件。用户(OEM和合同制造商)正在面临激动的，如果不是困难的，时刻。成功的关键在于贴片设备供应商的满足顾客要求和在更短的领先时间内交付产品的能力。
    片状元件技术的一般趋势是什么？这个问题其实相当简单：片状元件及其包装的大小正在变得更小。事实上，0603包装形式(边长: 1.5 x 0.75 mm)是主流。并且0402贴片(边长: 1.0 x 0.5 mm)逐渐地更普通，特别在电信业。
    然而，必须指出，大多数行业还没得

    一般视听电路中的功率放大（简称功放）电路是在电压放大器之后，把低频信号再进一步放大，以得到较大的输出功率，最终用来推动扬声器放音或在电视机中提供偏转电流。
一、功率放大电流的特点
    对功放电路的了解或评价，主要从输出功率、效率和失真这三方面考虑。
1、为得到需要的输出功率，电路须选集电极功耗足够大的三极管，功放管的工作电流和集电极电压也较高。电路设计使用中首先要考虑怎样充分地发挥三极管功能而又不损坏三极管。由于电路中功放管工作状态常接近极限值，所以功放电流调整和使用时要小心，不宜超限使用。
2、从能耗方面考虑，功放输出的功率最终

    工作在乙类的放大电路，虽然管耗小，有利于提高效率，但存在严重的失真，使得输入信号的半个波形被消掉了。怎样解决上述矛盾呢？
500)this.width=500" border=0 dypop="按此在新窗口浏览图片">
（a）基本互补对称电路 （b）由NPN管组成的射极输出器

功放管的三种工作状态
低频功率输出级按功放管的工作状态为甲类、乙类、丙类三种。
它们各有特点：
500)this.width=500" border=0 dypop="按此在新窗口浏览图片">
(1).甲类功率输出级主要优点是失真小，主要缺点是效率低。
它的输出功率Po，电源功耗PD,集电极

    在静电场影响下引起导体电荷，重新分布的现象。即在某带电体电场的作用下，导体中的自由电子进行重新分布，使导体内的电场跟着变化，直至强度减小到零为止。结果靠近带电体的一端出现与带电体所载电荷相异的电荷(束缚电荷)，另一端则出现与带电体相同号的电荷(自由电荷)。如果导体原来不带电，则两端带电的数量相等；如果原来已经带电，则两端电量的代数和应与该导体原来所带的电量相同。见图1。

    在电场作用下，半导体中的载流子作定向漂移运动,由此形成的电流称为漂移电流。在电场强度不太大时，电子和空穴移动的速度（也称漂移速度）vn、vp与电场强度E成正比，可表示为
vn=－mnE 或vp=mpE
式中，mn为电子迁移率；mp为空穴迁移率。迁移率m是单位电场强度引起的载流子的平均漂移速度，其数值与半导体的材料、掺杂浓度、温度等有关。在室温300K时，硅材料的mn =0.13cm2/V×s; mp =0.05cm2/V×s; 锗材料的mn =0.38cm2/V×s;mp =0.18cm2/V×s。对同一种材料，空穴的迁移率比电子的迁移率低，这是因为空穴的运动是共价键中的电子依次填补空穴的结果，它不如自由电子灵活

能带理论是研究固体中电子运动规律的一种近似理论。固体由原子组成，原子又包括原子实和最外层电子，它们均处于不断的运动状态。为使问题简化，首先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规律作周期性排列，然后进一步认为每个电子都是在固定的原子实周期势场及其他电子的平均势场中运动，这就把整个问题简化成单电子问题。能带理论就属这种单电子近似理论，它首先由F.布洛赫和L.-N.布里渊在解决金属的导电性问题时提出。具体的计算方法有自由电子近似法、紧束缚近似法、正交化平面波法和原胞法等。前两种方法以量子力学的微扰理论作为基础，只分别适用于原子实对电子的束缚很弱和很强的两种极端情形；后两种方法则适用于较一般的情形，应用较广。
能级（Enegy Level）：在孤立原子中，原子核外的电子按照一

    当PN结两边的掺杂浓度很高时，阻挡层将变很薄，在这种阻挡层中，载流子与中性原子相碰撞的机会极小，因而不容易发生碰撞 ... 显然，场致激发能够产出大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象，这种击穿称为齐纳击穿(因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。
    利用齐纳击穿可做成稳压二极管,又叫齐纳二极管.该二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二

    在材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样，通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下获得的能量增大，在晶体中运动的电子和空穴将不断地与晶体原子又发生碰撞，当电子和空穴的能量足够大时，通过这样的碰撞的可使共价键中的电子激发形成自由电子–空穴对。新产生的电子和空穴也向相反的方向运动，重新获得能量，又可通过碰撞，再产生电子–空穴对，这就是载流子的倍增效应。当反向电压增大到某一数值后，载流子的倍增情况就像在陡峻的积雪山坡上发生雪崩一样，载流子增加得多而快，这样，反向电流剧增， PN结就发生雪崩击穿。利用该特点可制作高反压二极管。下图是雪崩击穿的示意图.

    在人们的日常生活和部队的军事训练中,经常会遇到静电现象。静电是一种电能，它存在于物体表面，是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。人在活动时产生的静电电压从几千伏到几万伏不等. 电路板不接地,电烙铁,吸锡器,绝缘材料制作的操作工具以及打印机,复印机,变压器和发电机等工作时也会产生感应静电.静电放电的起放电源是空间电荷，因而它所储存的能量是有限的，故它仅能提供短暂发生的局部击穿能量。虽然静电放电的能量较小, 但其放电波形很复杂，控制起来也比较麻烦。半导体器件的软击穿就与它有关。由静电引起元器件的击穿是电子装备中静电危害的主要方式，是电子装备制造中最普遍、最严重的危害。
    静电放电可能造成器件硬击穿或

    在人们的日常生活和部队的军事训练中,经常会遇到静电现象。静电是一种电能，它存在于物体表面，是正负电荷在局部失衡时产生的一种现象。人在活动时产生的静电电压从几千伏到几万伏不等. 电路板不接地,电烙铁,吸锡器,绝缘材料制作的操作工具以及打印机,复印机,变压器和发电机等工作时也会产生感应静电.静电放电的起放电源是空间电荷，因而它所储存的能量是有限的，故它仅能提供短暂发生的局部击穿能量。虽然静电放电的能量较小, 但其放电波形很复杂，控制起来也比较麻烦。半导体器件的软击穿就与它有关。由静电引起元器件的击穿是电子装备中静电危害的主要方式，是电子装备制造中最普遍、最严重的危害。
    静电放电可能造成器件硬击穿或